Номер детали производителя : | S4M M6 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S4M M6.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S4M M6 |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | S4M M6.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.15 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.5 µs |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB
IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP
DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB
PROTOTYPE
DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB